面向EUV設備的電源設計要點
極紫外（EUV）光刻是當代半導體制造中最先進的技術，其能量系統(tǒng)復雜且要求極高。EUV設備中的電源不僅需提供高電壓、高頻率與高穩(wěn)定度輸出，還需在強電磁場、真空與高溫環(huán)境下長期可靠運行。
EUV光源通常采用激光誘導等離子體（LPP）或放電等離子體（DPP）技術，兩者均依賴高壓電源驅動能量釋放。光源驅動電源需提供數十千伏的高頻脈沖，且上升沿控制在納秒級，以確保等離子體均勻激發(fā)。為此，設計中常采用多級諧振變換與磁壓縮技術，實現快速能量聚焦。
EUV系統(tǒng)的能量波動對曝光精度影響極大，因此電源需具備極高穩(wěn)壓性能與低噪聲特性。通過數字化控制、光電隔離反饋與有源紋波抑制，輸出穩(wěn)定度可達到0.01%以內。為避免EMI干擾光學檢測模塊，電源外殼與傳輸線均采用屏蔽與接地分層設計。
在真空與高溫條件下，電源的絕緣與散熱尤為關鍵。高壓模塊采用陶瓷封裝與惰性氣體絕緣，以防止電弧放電。散熱系統(tǒng)采用液冷與相變導熱結合方式，確保長時間高功率運行下的溫度均衡。
控制系統(tǒng)通過FPGA實現實時同步，協調多通道電源輸出與光源觸發(fā)信號。電源與主控計算機之間采用光纖通信，保證信號完整性與抗干擾性。
EUV設備的電源設計是集高壓、高頻、精密與可靠性于一體的系統(tǒng)工程，其優(yōu)化水平決定了設備能否穩(wěn)定實現納米級圖形轉移。
