技術(shù)資源
準(zhǔn)分子激光高壓電源氣體動(dòng)力學(xué)優(yōu)化
準(zhǔn)分子激光憑借短波長(zhǎng)（193nm-351nm）特性，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻與精密加工領(lǐng)域，其輸出性能依賴高壓電源與準(zhǔn)分子氣體（ArF、KrF 等）的
光刻機(jī)高壓電源多維度 EMI 屏蔽
光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其納米級(jí)光刻精度直接決定芯片良率，而高壓電源作為光刻機(jī)的動(dòng)力核心，電磁干擾（EMI）是制約其性能的關(guān)
離子注入高壓電源脈沖序列混沌控制的應(yīng)用實(shí)踐
離子注入是半導(dǎo)體器件制造中實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)精準(zhǔn)摻雜的核心工藝，其通過高壓電源加速雜質(zhì)離子（如硼、磷），使離子注入晶圓形成源漏極、柵極等關(guān)鍵
靜電卡盤高壓電源智能介質(zhì)損耗補(bǔ)償技術(shù)及應(yīng)用
在半導(dǎo)體晶圓制造的光刻、干法刻蝕等關(guān)鍵工藝中，靜電卡盤（ESC）承擔(dān)著晶圓精準(zhǔn)夾持與溫度控制的核心功能，而高壓電源的輸出穩(wěn)定性直接影
電鏡高壓電源阿伏伽德羅常數(shù)級(jí)精度的應(yīng)用探索
在納米科技與材料科學(xué)領(lǐng)域，透射電子顯微鏡（TEM）、掃描電子顯微鏡（SEM）的分辨率與分析精度，直接依賴電子束加速系統(tǒng)的穩(wěn)定性，而高壓電
準(zhǔn)分子激光高壓電源光學(xué) - 電學(xué)同步系統(tǒng)
準(zhǔn)分子激光憑借 193nm 248nm 短波長(zhǎng)、1-10ns 脈沖寬度的特性，廣泛應(yīng)用于光刻膠刻蝕、材料表面改性，其高壓電源需為激光腔提供 20-50kV
光刻機(jī)高壓電源抗單粒子效應(yīng)加固
光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，其高壓電源需為靜電吸盤（ESC）、光源驅(qū)動(dòng)模塊提供 ±0 01% 精度的穩(wěn)定供電，而單粒子效應(yīng)（SEE
離子注入高壓電源能量時(shí)空分布控制
一、工藝需求與控制難點(diǎn)離子注入是半導(dǎo)體摻雜的核心工藝，通過將特定離子（如 B、P、As）加速至 1keV-1MeV 能量并注入晶圓，形成精確的
靜電卡盤高壓電源表面微等離子體抑制
一、應(yīng)用場(chǎng)景與問題成因靜電卡盤（ESC）是半導(dǎo)體制造（如刻蝕、薄膜沉積）中晶圓夾持的核心部件，通過高壓電源提供靜電力實(shí)現(xiàn)晶圓無(wú)接觸固