技術(shù)資源
電子束高壓電源故障預(yù)警系統(tǒng)的技術(shù)架構(gòu)與應(yīng)用價(jià)值
電子束技術(shù)在工業(yè)輻照、半導(dǎo)體離子注入、材料改性等領(lǐng)域的深度應(yīng)用，使其核心動(dòng)力源——電子束高壓電源的穩(wěn)定運(yùn)行成為生產(chǎn)連續(xù)性與工藝精度
曝光機(jī)高壓電源集成化設(shè)計(jì)思路
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，曝光機(jī)作為關(guān)鍵設(shè)備，其性能直接決定芯片的精度與良率，而高壓電源作為曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)與驅(qū)動(dòng)模塊的核心能量供給單元，其
光刻機(jī)高壓電源的超導(dǎo)儲(chǔ)能脈沖供電技術(shù)應(yīng)用分析
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻機(jī)作為先進(jìn)制程突破的核心設(shè)備，其曝光系統(tǒng)對(duì)供電的精準(zhǔn)度、響應(yīng)速度及穩(wěn)定性提出了苛刻要求。尤其是7nm以下制程中
離子注入高壓電源智能故障自愈系統(tǒng)的應(yīng)用價(jià)值與技術(shù)實(shí)踐
在半導(dǎo)體制造的核心工藝鏈條中，離子注入技術(shù)是實(shí)現(xiàn)晶圓精準(zhǔn)摻雜的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而高壓電源作為該技術(shù)的能量核心，其運(yùn)行穩(wěn)定性直接決定摻雜濃
靜電卡盤高壓電源多物理場(chǎng)協(xié)同控制
在半導(dǎo)體3nm及以下先進(jìn)制程的晶圓加工中，靜電卡盤（ESC）是實(shí)現(xiàn)晶圓高精度定位與穩(wěn)定夾持的核心部件，其性能直接取決于高壓電源（HVPS）的
電鏡高壓電源量子隧穿效應(yīng)抑制技術(shù)探析
電子顯微鏡（以下簡(jiǎn)稱電鏡）的高分辨率成像能力，核心依賴于高壓電源輸出的穩(wěn)定性與精準(zhǔn)度。在電鏡工作過(guò)程中，高壓電源需為電子槍提供10kV
蝕刻設(shè)備高壓電源射頻直流耦合優(yōu)化技術(shù)探析
在半導(dǎo)體制造的蝕刻工藝中，高壓電源作為等離子體生成與能量控制的核心部件，其射頻（RF）與直流（DC）信號(hào)的耦合性能直接決定蝕刻精度、速
離子注入高壓電源多脈沖動(dòng)態(tài)同步技術(shù)的應(yīng)用與突破
在半導(dǎo)體先進(jìn)制程演進(jìn)中，離子注入作為實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)摻雜的核心工藝，其精度直接決定芯片電學(xué)性能與良率。高壓電源作為離子注入系統(tǒng)的能量中樞，
靜電卡盤高壓電源的納米級(jí)表面電位調(diào)控技術(shù)及應(yīng)用
在半導(dǎo)體晶圓制造、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）加工等精密制造領(lǐng)域，靜電卡盤憑借無(wú)機(jī)械損傷、高吸附穩(wěn)定性的優(yōu)勢(shì)，成為超薄、超大尺寸工件精準(zhǔn)定位