技術(shù)資源
晶圓清洗電源控制的數(shù)字化升級
晶圓清洗工藝作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其目標(biāo)是去除晶圓表面雜質(zhì)、顆粒與有機(jī)殘留，以確保后續(xù)工藝的精度與一致性。在清洗設(shè)備中，
高壓電源技術(shù)助力封測自動化設(shè)備
在半導(dǎo)體封裝與測試環(huán)節(jié)中，自動化設(shè)備的電源系統(tǒng)性能對整體生產(chǎn)效率與測試精度起著決定性作用。隨著芯片封裝密度的提升與測試頻率的增加，
晶圓制程設(shè)備高壓供電一體化趨勢
隨著半導(dǎo)體制造工藝的持續(xù)演進(jìn)，晶圓制程設(shè)備在工藝精度、產(chǎn)能效率和系統(tǒng)可靠性方面提出了更高的要求。傳統(tǒng)的分布式供電系統(tǒng)在高壓供電環(huán)節(jié)
多通道高壓電源在測試設(shè)備的突破
隨著半導(dǎo)體器件集成度與復(fù)雜度的不斷提高，尤其是在存儲器（Memory）、電源管理芯片（PMIC）和高性能計算芯片的自動化測試設(shè)備（ATE）領(lǐng)域
晶圓離子注入工藝電源國產(chǎn)化進(jìn)展
離子注入是半導(dǎo)體制造中的核心步驟，用于摻雜以改變半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性。其工藝對電源系統(tǒng)的要求極其苛刻，是高壓電源應(yīng)用領(lǐng)域中的皇冠。
高壓電源助力先進(jìn)封裝產(chǎn)線建設(shè)
先進(jìn)封裝技術(shù)，如倒裝芯片（Flip Chip）、晶圓級封裝（WLP）、2 5D 3D集成中的硅通孔（TSV）工藝，對制造設(shè)備提出了新的電源需求。高壓電
晶圓檢測電源的高頻響應(yīng)優(yōu)化
晶圓檢測，尤其是基于電子束（E-beam）或高頻探針臺的先進(jìn)缺陷檢測與電性測試，對驅(qū)動電源提出了極高要求。這里的高頻響應(yīng)特指電源系統(tǒng)對快
高壓供電技術(shù)支撐真空系統(tǒng)性能
在半導(dǎo)體制造、薄膜沉積以及表面科學(xué)研究等諸多高精尖領(lǐng)域中，真空系統(tǒng)是實(shí)現(xiàn)精確工藝環(huán)境的核心基礎(chǔ)設(shè)施。高壓供電技術(shù)在其中扮演著不可或
晶圓制程設(shè)備的電源精度挑戰(zhàn)
晶圓制程設(shè)備，如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、CVD和離子注入機(jī)等，對供電電源的精度有著極其嚴(yán)苛的要求。隨著制程節(jié)點(diǎn)不斷縮小到納米級，電源的任何微