技術(shù)資源
晶圓檢測環(huán)節(jié)電源精準控制技術(shù)
晶圓檢測是半導(dǎo)體制造中質(zhì)量控制的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，貫穿于前道（Front-End-of-Line, FEOL）和后道（Back-End-of-Line, BEOL）工藝。高壓電源在
高壓電源驅(qū)動薄膜沉積工藝提速
薄膜沉積是半導(dǎo)體制造中最基礎(chǔ)也是最耗時的工序之一，包括物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）等。在等離子體增
晶圓制程高壓供電一體化設(shè)計趨勢
晶圓制造過程涉及光刻、刻蝕、離子注入、沉積與清洗等多個環(huán)節(jié)，幾乎每個環(huán)節(jié)都依賴穩(wěn)定且高精度的電源系統(tǒng)。隨著制程節(jié)點向更小線寬推進，
多通道高壓電源支撐測試設(shè)備發(fā)展
在半導(dǎo)體、顯示、航空及科研等領(lǐng)域，多通道高壓電源被廣泛應(yīng)用于器件特性測試、耐壓檢測及系統(tǒng)驗證中。隨著測試復(fù)雜度的增加，對電源的輸出
退火設(shè)備電源節(jié)能與穩(wěn)定雙提升
退火設(shè)備在半導(dǎo)體與材料加工過程中用于改善晶體結(jié)構(gòu)、消除應(yīng)力和提升電學(xué)性能，其運行的穩(wěn)定性直接關(guān)系到產(chǎn)品品質(zhì)。作為核心驅(qū)動單元的電源
高壓電源在真空鍍膜設(shè)備的應(yīng)用
真空鍍膜設(shè)備廣泛應(yīng)用于光學(xué)器件、電子元件、顯示面板以及半導(dǎo)體表面處理等領(lǐng)域，其性能與穩(wěn)定性在很大程度上依賴于高壓電源的驅(qū)動特性。鍍
光刻機電源國產(chǎn)化解決方案探索
在半導(dǎo)體制造工藝中，光刻機是最為關(guān)鍵的設(shè)備之一，其性能直接決定芯片制程的精度與良率。隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，光刻機的核心部件
晶圓檢測環(huán)節(jié)高壓電源需求增長
隨著芯片尺寸不斷縮小、結(jié)構(gòu)復(fù)雜度顯著提升，晶圓檢測環(huán)節(jié)對精度與穩(wěn)定性的要求也隨之提高。高壓電源在檢測設(shè)備中的應(yīng)用范圍日益擴大，尤其
高壓電源應(yīng)用拓展至刻蝕裝備核心
刻蝕設(shè)備是晶圓制造中實現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移的核心裝備，對電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性、瞬態(tài)響應(yīng)和抗干擾性能要求極高。傳統(tǒng)的刻蝕電源多為中壓或分布